特許
J-GLOBAL ID：200903007943816760
ガンマフォトン検出場内におけるスペクトル測定のためのデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-510042
公開番号（公開出願番号）：特表2001-516033
出願日： 1998年08月14日
公開日（公表日）： 2001年09月25日
要約：
【要約】本発明は、ガンマ線放射の検出のための、半導体をベースとしたデバイスに関するものであって、109 Ωcmを超える抵抗値を有した半導体をベースとしたセンサ(14)と、このセンサとの間に接続分断用キャパシタを介在させることなく、センサの出力側に直接的に接続された差動プリアンプ(4)と、センサから出力される信号の電子成分の立ち上がり時間に基づいてデータ処理を行うための信号処理デバイスと、を具備している。
請求項（抜粋）：
ガンマ線放射の検出のための、半導体をベースとしたデバイスであって、-109 Ωcmを超える抵抗値を有した半導体をベースとした検出器(14)と、-該検出器との間に接続分断用キャパシタを介在させることなく、前記検出器の出力側に直接的に接続された差動プリアンプ(4)と、-前記半導体をなす材料とγフォトンとの相互作用に対応して前記半導体ベース検出器(14)から出力される信号の時間変化を表す信号またはデータセットを使用するための信号処理デバイスと、を具備してなり、 前記信号処理デバイスは、前記検出器から出力された信号全体のうちの電子成分の立ち上がり時間を表すデータまたは信号を生成するための手段、言い換えれば、各γフォトンと前記半導体材料との間の相互作用に起因する電子の収集に対応した信号成分の立ち上がり時間を表すデータまたは信号を生成するための手段を備えていることを特徴とするガンマ線放射検出デバイス。
Fターム (12件)：
2G088EE01
, 2G088FF04
, 2G088FF15
, 2G088GG21
, 2G088JJ05
, 2G088KK01
, 2G088KK02
, 2G088KK03
, 2G088KK05
, 2G088KK27
, 2G088LL05
, 2G088LL11
