特許
J-GLOBAL ID：200903007944894209
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-351646
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167101
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 発光効率を上げて光を有効に利用することができる半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体発光素子は、発光層2の光を取り出す側の表面上に光散乱層10を形成する。この層は、発光層2の上に形成された電流拡散層3に設けられ、電流拡散層とは格子定数が異なる材料を用いる。そして、その電流拡散層3の上に光散乱層10を成長させて表面を粗面化する。
請求項（抜粋）：
活性層を含む発光層と、この発光層の上に形成され、光取出し面を有する光散乱層と、前記発光層もしくは前記光散乱層の上に形成された光取出し側電極とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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