特許

J-GLOBAL ID：200903007946037877

静電吸着方法

発明者： 大倉 英一郎 ,  豊田 正人
出願人/特許権者： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128877
公開番号（公開出願番号）：特開平6-343278
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 この発明は半導体ウェハの試料台への吸着・離脱をより迅速なものにすることを目的とする。【構成】 吸着開始(電源ON)時間(t1)から所定の吸着力を得るまでの時間(t2)印加する比較的高電圧な初期電圧V1と、所定の吸着力を得た後その吸着力を維持するまでの時間(t2〜t3)に印加する電圧を、吸着力を維持するために必要最低限な値である維持電圧V2とに分けて段階的に変化させて印加するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

被固定部材の試料台への静電吸着開始時から所定の吸着力が得られるまでの間、前記試料台に比較的高い直流電圧を印加し、前記所定の吸着力が得られた後には、前記吸着力を維持するために必要な最低直流電圧を印加することを特徴とする静電吸着方法。

IPC (3件)：

H02N 13/00 ,  B23Q 3/15 ,  H01L 21/68