特許

J-GLOBAL ID：200903007949677800

半導体装置の製造方法

発明者： 西山 彰 ,  小池 正浩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127438
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330460
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 MOSトランジスタのゲート酸化膜に高誘電体絶縁膜を用いた場合においても、ゲート絶縁膜のCやHの不純物汚染を無くすことができ、不純物の混入や付着によるリークの発生等を抑制できる。【解決手段】 Si基板101の主表面上にガスの分解を利用してゲート酸化膜103を形成する工程と、ゲート酸化膜103上にゲート電極104を形成する工程とを含むMOSトランジスタの製造方法において、ゲート酸化膜103の材料として光触媒反応を示すTiO2 を用い、該ゲート酸化膜103を形成する際に基板表面に紫外光を照射することにより、光触媒反応を起こさせてTiO2 中に通常残留してくるCやHを除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面に光を照射しながら、光触媒反応を示す物質からなるゲート絶縁膜をガスの分解を利用して形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/469

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/283 L ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/469