特許

J-GLOBAL ID：200903007951725552

光を送信しかつ/又は受信する半導体部材を製造する方法

発明者： ヘルムート フィッシャー ,  エルンスト ニルシュル ,  ヴァルター ヴェークライター
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-509299
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501365
出願日： 1997年08月13日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】0≦X<1を有するGaAs<SB>x</SB>P<SB>1-x</SB>からなる少なくとも1つの半導体層を備えた、光を送信しかつ/又は受信する半導体部材を製造する方法。本発明による方法において、組成H<SB>2</SB>SO<SB>4</SB>:H<SB>2</SB>O<SB>2</SB>:H<SB>2</SB>Oのエッチング溶液による第1のエッチングステップにおいて、かつそれに続いてふっ化水素酸による第2のエッチングステップにおいて、半導体層の表面の少なくとも一部が処理されるで、半導体層の表面の少なくとも一部に荒れが生じる。

請求項（抜粋）：

0≦X<1を有するGaAs<SB>x</SB>P<SB>1-x</SB>からなる少なくとも1つの半導体層を備えた、光を送信しかつ/又は受信する半導体部材を製造する方法において、組成H<SB>2</SB>SO<SB>4</SB>:H<SB>2</SB>O<SB>2</SB>:H<SB>2</SB>Oのエッチング溶液による第1のエッチングステップにおいて、かつそれに続いてふっ化水素酸による第2のエッチングステップにおいて、半導体層の表面の少なくとも一部を処理するので、半導体層の表面の少なくとも一部に荒れ(8)が生じることを特徴とする、光を送信しかつ/又は受信する半導体部材を製造する方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/02

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 31/02 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• GaAlAs発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-296723   出願人：信越半導体株式会社
• 特開昭56-120174
  
• 特開昭59-112666
  
• 特開平4-354382