プラズマ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-202017
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050898
出願日： 1995年08月08日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【目的】パルスバイアス回路のインピーダンスの面内不均一を解消し、試料処理の全面均一を図る。【構成】電磁波1の導入窓4部分に、電磁波電界4hと直交するように切り込みを設け、かつ接地電位に維持された電極4aを設ける。【効果】試料全面にわたって均一に、バイアス起因の電子シューディング現象を除去できる。

請求項（抜粋）：

電磁波と放電ガスが導入されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室内に前記電磁波を導入する手段と、前記プラズマ発生室と前記電磁波導入手段とを仕切る誘導体窓と、前記電磁波により生成したプラズマを用いて処理すべき試料を載せるホルダーとホルダーへのバイアスとしてパルス電圧を印加する手段を具備したプラズマ処理装置において、前記試料に平行かつ実質的に接地電極として機能する導体を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 C , H05H 1/46 L , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/302 C

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