特許

J-GLOBAL ID：200903007970754750

相互接続用の2重層低誘電性バリアを形成する方法および形成された装置

発明者： ジュディス・エム・ルビノ ,  クリストファー・ジャーネス ,  エリック・ジー・リニジャー ,  ジェームス・ジー・ライアン ,  カルロス・ジェイ・サンブセティ ,  フランク・カードン ,  サンパス・プルショサマン ,  ジョン・エイ・フィッツシモンズ ,  スティーヴン・エム・ゲーツ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033861
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284453
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 銅導体上に、銅の拡散バリア特性および接着特性にすぐれた低誘電性バリアを形成する。【解決手段】 銅導体を有する基板を用意する。リンまたはホウ素含有金属合金フィルムを保護層として銅導体上に付着させ、第1のアニール・プロセスを施し、リンまたはホウ素含有金属合金を銅導体の上面の少なくとも2〜4原子層中に拡散させる。次いで、リンまたはホウ素含有金属合金フィルム上に低k誘電体フィルムを付着させ、第2のアニール・プロセスを施す。得られた構造は、銅導体上のリンまたはホウ素含有金属合金フィルム、および金属合金フィルム上の誘電材料フィルムを含む2重層バリアを有し、銅導体に対して優れたバリア特性、接着特性を示す。

請求項（抜粋）：

銅導体上に低誘電性バリアを形成する方法であって、絶縁体層中に形成された銅導体を有する基板を用意する段階と、前記銅導体上にリンまたはホウ素含有金属合金フィルムを付着する段階と、前記リンまたはホウ素含有金属合金フィルム上に誘電体フィルムを付着する段階と、前記リンまたはホウ素含有金属合金が前記銅導体の上面の少なくとも3原子層中に拡散するよう、前記基板を還元性雰囲気中で少なくとも300°Cの温度で、第1の加熱を施す段階とを含む方法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  C22F 1/10 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  C22C 19/00 ,  C22F 1/00 660

FI (7件)：

C22F 1/10 A ,  H01L 21/316 X ,  C22C 19/00 Q ,  C22F 1/00 660 A ,  H01L 21/90 V ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-210624   出願人：株式会社東芝
• めっき法による配線金属膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264586   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-172447   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の配線構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-030432   出願人：日本電信電話株式会社
• 銅部材を含む半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-005345   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Copper electroless deposition technology for ultra-large-scale-integration(ULSI) metallization
• High aspect ratio quarter-micron electroless copper integrated technology
• Electrochemically Deposited Diffusion Barriers
• Electrolessly deposited diffusion barriers for microelectronics