特許
J-GLOBAL ID：200903007979068484
半導体装置製造における高スループット光学キュア工程
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095432
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045924
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 キュア工程におけるサイクルタイムの減少。【構成】 本発明は半導体装置またはそのような装置のlow-k 誘電材料をキュアする方法である。この方法は、金属相互接続配線(12,13,14,15)を形成し、配線上にlow-k 誘電材料層(22)を形成し、low-k 誘電材料層を加熱ランプで10分間未満キュアし、加熱ランプが約1ミクロンから3.5ミクロンの範囲の波長の赤外線スペクトルの光照射エネルギーを供給することを含む。加熱ランプはタングステン・ハロゲン・ランプから成りえる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の材料層キュア方法において、半導体層を形成し、前記半導体層上にlow-k 誘電材料層を形成し、前記low-k 誘電材料層をランプで10分間未満キュアし、前記low-k 誘電材料層の実質的にすべての必要なキュアを前記ランプが提供し、前記半導体層が前記low-k 誘電材料層より実質的に低い温度を有する工程を含む方法。
IPC (4件)：
H01L 21/314
, B29C 35/02
, H01L 21/768
, B29L 31:34
