特許

J-GLOBAL ID：200903007979919387

半導体装置及びその製造方法

発明者： 千田 修義
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246929
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088360
出願日： 1994年09月15日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 フィールド酸化膜の膜減りを防ぐことでフィールドの反転電圧の低下やバラツキを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板2の素子分離領域のフィールド酸化膜3の表面に窒化シリコン(Ti3 N4 )膜を含む絶縁膜9を形成する。また半導体基板2に形成するMOSトランジスタのゲート電極8、18に半導体基板上の第1層目の導電層8及び第2層目の導電層18のいずれか一方もしくは双方を用いる半導体装置の製造方法において、MOSトランジスタのしきい値制御を行うためのチャネルイオン注入をこの第1層目の導電層8の上に形成された少なくとも窒化シリコン膜を有する絶縁膜9を緩衝膜として行う。フィールド酸化膜に形成された絶縁膜中の窒化シリコン膜は、層間絶縁膜に存在する重金属不純物の挙動をブロックし、フィールド酸化膜の反転電圧の特性ばらつきを小さくする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、所定の厚さのゲート酸化膜を有するMOSトランジスタが形成された前記半導体基板中の素子領域と、前記素子領域を分離するフィールド酸化膜からなる前記半導体基板中の素子分離領域と、所定の素子領域を分離して前記素子分離領域を構成する前記フィールド酸化膜の上に形成された窒化シリコン膜を含む絶縁膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/76 D ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371