特許
J-GLOBAL ID：200903007980032736
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269173
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097441
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 LDD構造の2つの薄膜トランジスタの一方の低濃度不純物ソース・ドレイン領域の不純物濃度を他方のそれよりも大きくする際、不純物注入工程を簡略化する。【構成】 ポリシリコン薄膜41上にフォトレジストマスク43を形成する。次に、ハードマスク47を用いて一の薄膜トランジスタ形成領域におけるポリシリコン薄膜41にリンイオンをある低濃度で注入する。次に、別のハードマスク49を用いて他の薄膜トランジスタ形成領域におけるポリシリコン薄膜41にリンイオンを前記ある低濃度とは異なる低濃度で注入する。この後、フォトレジストマスク43を除去する。この場合、フォトレジストマスク43を共通に使用しているので、フォトレジストマスク形成工程およびその除去工程を1回分だけ減らすことができる。次に、別のフォトレジストマスク52を形成し、リンイオンを高濃度で注入する。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜の一の薄膜トランジスタ用不純物領域を形成すべき部分および他の薄膜トランジスタ用不純物領域を形成すべき部分に対応する箇所に開口部を有するレジストマスクを前記半導体薄膜の上面に形成し、前記一の薄膜トランジスタ用不純物領域を形成すべき部分を覆うとともに前記他の薄膜トランジスタ用不純物領域を形成すべき部分に対応する箇所に開口部を有するハードマスクを用いて、前記他の薄膜トランジスタ用不純物領域を形成すべき部分に不純物をある濃度で注入し、前記他の薄膜トランジスタ用不純物領域を形成すべき部分を覆うとともに前記一の薄膜トランジスタ用不純物領域を形成すべき部分に対応する箇所に開口部を有するハードマスクを用いて、前記一の薄膜トランジスタ用不純物領域を形成すべき部分に不純物を前記ある濃度とは異なる濃度で注入する、ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 C
, H01L 29/78 311 P
