特許
J-GLOBAL ID：200903007982705991
半導体抵抗装置及びそれを用いた増幅回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056423
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273287
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 印加電圧に依存して空乏層が変化することにより抵抗値の変動をなくして、電圧依存性のない半導体抵抗を簡単な構成で得ること。【構成】 P型半導体基板11上にNウェル12,14を独立に形成し、これ等各ウェル内にP型抵抗領域13,15を夫々形成する。Nウェル12,14はフローティングとして使用する。これ等ウェル12,14はフローティングであるから、これ等ウェルの電位は抵抗領域13,15の電圧により定まり、よってこれ等PN接合部の電圧はごく小さな順バイアスとなる。従って、各抵抗領域13,15の電圧が変化してもそのPN接合部電圧は変化せず常に一定となり、空乏層は生じない。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の一主表面上に形成された第2導電型の不純物領域と、この不純物領域内に形成された第1導電型の抵抗領域とを含み、前記不純物領域は電位的に解放の状態にて使用することを特徴とする半導体抵抗装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H03G 3/30
