特許
J-GLOBAL ID:200903007983649335

多孔性基体内に溶融したケイ素組成物を送り込む方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-518614
公開番号(公開出願番号):特表2000-500112
出願日: 1996年10月14日
公開日(公表日): 2000年01月11日
要約:
【要約】複数の基体(10)が、金属ベースの組成物の供給源を構成する層(12)と接するように交互に配列される。各層は、金属ベースの組成物で形成された大部分の相と、溶融した金属ベースの組成物を保持しかつ排出するための構造体を形成可能な小部分の相を含む。バッチは、供給源に隣接した基体もしくは各基体の隣接した面を介して、各供給源から溶融状態した金属ベースの組成物が基体の内部へ向かって移動することができるように、金属ベースの組成物の融点よりも高い温度に加熱する。本発明は、ケイ化物化させる目的で、ケイ素ベースの組成物を、熱構造的な複合材料、特に、炭素-炭素複合材料に送り込むのに特に適している。
請求項(抜粋):
金属ベースの組成物を、同時に複数の多孔性基体に組み込む方法であって、以下の工程: ・金属ベースの組成物の供給源を構成する層と接触させて交互に配置された複数の多孔性基体を含む少なくとも一つのバッチを構成する(金属ベースの組成物の供給源を構成する各層は、金属ベースの組成物で形成された大部分の相と、溶融状態にある金属ベースの組成物を保持および排出する構造体を形成するのに適した小部分の相とを含む)工程;および ・各供給源から溶融状態にある金属ベースの組成物が、供給源に隣接している基体もしくは各基体の隣接した面を介して、基体の内部に向かって移動することができるよう、バッチを金属ベースの組成物の溶融温度よりも高い温度に加熱する工程を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件):
C04B 35/56 ,  C04B 35/563 ,  C04B 41/50
FI (3件):
C04B 35/56 P ,  C04B 41/50 ,  C04B 35/56 B
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平2-054597

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