特許
J-GLOBAL ID:200903007990906629

マグネシア単結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小堀 益
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-345510
公開番号(公開出願番号):特開平5-170430
出願日: 1991年12月26日
公開日(公表日): 1993年07月09日
要約:
【要約】【目的】 高純度でサイズの大きいマグネシア単結晶を工業的に製造する方法の提供。【構成】 カサ比重が3.00g/cm3 以上で、粒子径が10mm以下で、マグネシア純度が99.8%以上の原料マグネシア粒子を理論密度の60%以上に固め、その中に炭素電極を埋没して徐々に溶融すると、マグネシア融体のまわりに環球状のスカルが形成され、溶融状態にあるマグネシアを長く維持して蒸発時間が長くなっても、蒸発量以上に溶融が進むため、大型のマグネシア単結晶が育成する。
請求項(抜粋):
マグネシア純度が99.8%以上に高純度化された原料マグネシアに電極を埋没する電融マグネシア単結晶の製造方法において、カサ比重が3.00g/cm3 以上で、粒子径が10mm以下の原料マグネシアを理論密度の60%以上に固め、マグネシア融体のまわりに緻密な焼結層を形成するマグネシア単結晶の製造方法。
IPC (3件):
C01F 5/02 ,  C30B 1/02 ,  C30B 29/16
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 特公昭39-025545
  • 特開平2-263794
  • 特開平3-215315
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