特許

J-GLOBAL ID：200903007994156985

化合物半導体素子及びその製造方法

発明者： 田中 明 ,  小野村 正明 ,  飯田 清次 ,  松山 隆之
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝ディスクリートテクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-293840
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103791
出願日： 2005年10月06日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】分離された素子側面の品質が改善された化合物半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】結晶基板と、化合物半導体の多層膜と、を有する積層体を備え、前記積層体の側面の少なくともいずれかは、その側面の端部から延在するスクライブ溝の少なくとも一部分を含み、前記積層体の主面からみた前記スクライブ溝の少なくとも一部分の深さは前記端部の近傍において浅く前記端部の遠方において深いことを特徴とする化合物半導体素子が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶基板と、化合物半導体の多層膜と、を有する積層体を備え、 前記積層体の側面の少なくともいずれかは、その側面の端部から延在するスクライブ溝の少なくとも一部分を含み、 前記積層体の主面からみた前記スクライブ溝の少なくとも一部分の深さは前記端部の近傍において浅く前記端部の遠方において深いことを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (1件)：

H01L21/78 L

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第2780618号公報
  

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-140671   出願人：ソニー株式会社