特許
J-GLOBAL ID：200903007996955796
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230158
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077606
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体を用いた光半導体装置に関し、常温で高効率に発光しうる半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】 発光層または光の分布する領域ないしはその隣接領域の少なくとも一部にHg<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>S混晶(0<x<1)またはHg<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>Sを含む混晶を用いたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
発光層または光の分布する領域ないしはその隣接領域の少なくとも一部にHg<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>S混晶(0<x<1)またはHg<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>Sを含む混晶を用いたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
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