特許
J-GLOBAL ID：200903008001122203
半導体放射線検出素子およびそれを用いた放射線検出装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356787
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244003
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】漏洩電流が低く、放射線の検出効率が高く、かつ安価に製造できる半導体放射線検出素子及びその製造方法とそれを用いた放射線検出装置を提供する。【解決手段】鏡面研磨処理した多角柱体の半導体結晶を用い、この結晶側面に絶縁保護膜7を形成するのに、鏡面研磨直後に実施し、その後の処理工程および検出素子装着時に鏡面研磨面を直接触ることがないようにした。この絶縁保護膜7は、結晶側面を覆うと共に、半導体結晶の表裏両面に形成される電極形成領域の主要部を除きその周囲を囲むように主要部の周縁部に近接して設ける。受光部側の電極4は、半導体結晶の電極形成領域の主要部から、絶縁保護膜7の周縁部7a上を覆うように拡張して設け、これら両方の周縁部4a、7aが互いに重なり合った積層構造とする。
請求項（抜粋）：
半導体結晶の表裏両面にそれぞれ設けられた電極によって構成されたダイオード構造と、前記ダイオード構造の少なくとも結晶側面を覆う絶縁保護膜と、前記ダイオード構造の表面電極の主要部を構成要素とする受光部と、前記両電極間に逆バイアスを印加した状態で前記受光部に放射線を入射したとき前記ダイオード構造に発生した信号を裏面電極から検出信号として出力する信号出力部とを備えた半導体放射線検出素子であって、前記絶縁保護膜は結晶側面を覆うと共に、前記半導体結晶の表裏両面に形成される電極形成領域の主要部を除きその周囲を囲むように主要部の周縁部に近接して設けられ、前記少なくとも受光部側の電極は前記半導体結晶の電極形成領域の主要部から、前記絶縁保護膜の周縁部上を覆うように拡張され、互いに周縁部が重なり合い積層して設けられていることを特徴とする半導体放射線検出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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