特許
J-GLOBAL ID：200903008001558800
薄膜半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339469
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163309
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 薄膜半導体装置の製造過程で半導体基板の薄膜化によって顕著になってくる半導体基板の反りを抑えることにより半導体装置の変形による実装時の生産性の低下を防止する。【解決手段】 裏面に絶縁膜を有し、表面側に集積回路が形成された薄膜半導体装置において、前記裏面の絶縁膜は前記集積回路を構成している絶縁膜によって生じた応力を相殺する応力を有する構成とした。
請求項（抜粋）：
裏面に絶縁膜を有し、表面側に集積回路が形成された薄膜半導体装置において、前記裏面の絶縁膜は前記集積回路を構成している絶縁膜によって生じた応力を相殺する応力を有することを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 Z
, H01L 29/78 626 C
