特許
J-GLOBAL ID：200903008002309684
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081462
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268301
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 レーザディスク装置等の高速化を推進する。【構成】 D/A出力制御信号DACがハイレベルとされることで選択的にオン状態とされ駆動電流IDを形成するトランジスタT3と、D/A出力制御信号DACがハイレベルとされる当初にオン状態とされかつその後は相補入力データSW*に従って選択的にオン状態とされることで駆動電流IDを選択的に吸い込むトランジスタT6とを含むレーザダイオードドライバLDDに、電源電圧VCCとトランジスタT3のコレクタとの間に設けられるトランジスタT4と、電源電圧VCCとトランジスタT4のベースとの間に設けられる定電流源S1と、トランジスタT4のベースと出力端子DOつまりレーザダイオードLDとの間に設けられるダイオードD1と、トランジスタT4のエミッタと出力端子DOとの間に設けられるダイオードD2とを含む電流供給回路CSを設ける。
請求項（抜粋）：
所定の制御信号が有効レベルとされることで選択的に動作状態とされ負荷に対する所定の駆動電流を形成する第1の電流源と、上記制御信号が有効レベルとされる当初においてオン状態とされかつその後は所定の入力データに従って選択的にオン状態とされることで上記駆動電流を選択的に吸い込む第1のトランジスタと、上記制御信号の有効レベルを受けて上記第1のトランジスタがオン状態とされてから上記第1の電流源が動作状態とされるまでの間上記第1のトランジスタを介して上記負荷に対するバイアス電流が吸い込まれることを防止しつつ上記第1のトランジスタに対するオン電流を供給する電流供給回路とを含む出力回路を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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