SiCのパターンエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355043
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193044
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】単純な工程で高速にSiC基板を所望の形状にエッチングし、しかもスムーズな仕上がり面を得る。【構成】 SiC基板上にレジスト材料によりパターンマスクを形成し、[Ar/(CCl2F2+Ar)]=55〜85%としたCCl2F2とArとの混合ガスを用いて反応性イオンビームエッチングを行なう。【効果】 SiC基板のエッチング速度がレジストのそれと同等程度となるため、リフトオフを行なうことなく、レジスト上からの直接パターンエッチングが可能となる。

請求項（抜粋）：

SiC基板上にレジスト材料によりパターンマスクを形成し、(CCl2F2+Ar)に対するArの分圧比を55〜85%としたCCl2F2とArとの混合ガスから生成される反応性イオンビームを該基板の垂直上方から照射することによりSiC基板のエッチングを行なうことを特徴とするSiCのパターンエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , G02B 5/18

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭57-013176
特開平4-293234
特開昭63-065621

全件表示

前のページに戻る