特許
J-GLOBAL ID：200903008003450372
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319472
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154634
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 高精度且つ微細に露光したフォトレジスト膜を現像・リンスした場合でもパターン倒れのない均一なレジストパターンを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ウエハ2上に形成されたフォトレジスト膜3に対し、パターン状に露光を行う露光工程、フォトレジスト膜3の露光部4を現像液5に溶解させる現像工程、及び露光部4のフォトレジスト膜を溶解した現像液5をリンス液6で洗浄除去するリンス工程を含んでなる半導体装置の製造方法において、リンス工程時に少なくともフォトレジスト膜の非露光部4に対し、その非露光部4を硬化させるために光照射を行う。
請求項（抜粋）：
ウエハ上に形成されたフォトレジスト膜に対し、パターン状に露光を行う露光工程、フォトレジスト膜の露光部を現像液に溶解させる現像工程、及び露光部のフォトレジスト膜を溶解した現像液をリンス液で洗浄除去するリンス工程を含んでなる半導体装置の製造方法において、リンス工程時に少なくともフォトレジスト膜の非露光部に対し、その非露光部を硬化させるための光照射を行うことを特徴とする製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/40 501
H01L 21/30 569 Z
, G03F 7/40 501
, H01L 21/30 567
