半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-289831
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129625
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】不揮発性メモリー素子のコントロールゲート/フローティングゲート間層間絶縁膜に高誘電率の物質ないしは強誘電体/シリコン酸化膜を採用して、高い容量値で信頼性も高いセルを形成する。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタのチャンネル領域とコントロールゲート電極の間に、フローティングゲート領域を設けた不揮発性半導体記憶装置において、前記コントロール電極とフローティングゲート領域の間に高誘電率の薄膜とシリコン酸化膜の積層を介在させてなる半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D

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