特許
J-GLOBAL ID：200903008022235105
電磁界解析装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-146006
公開番号（公開出願番号）：特開2009-294774
出願日： 2008年06月03日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】薄膜を含む空間の電磁界を高速かつ精度よく解析する電磁界解析装置を提供する。【解決手段】本発明に係る解析装置は、記憶部320に格納された構造データ131に基づいて解析空間の解析モデルを作成する解析モデル構築部312と、薄膜構造に対応するセルの境界(メッシュ)上に表面および裏面にそれぞれ異なる電磁界を割り当てた薄膜モデルに関する薄膜モデル情報136を設定する薄膜モデルメッシュ設定部314と、解析モデル情報135および薄膜モデル情報136に基づいて、薄膜モデルの表面および裏面の電磁界を異なる方法で算出する電磁界解析部316とを備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
電磁界解析装置であって、
薄膜構造を有する構造物の構造データおよび解析条件を格納する記憶手段と、
前記構造データおよび前記解析条件に基づいて、前記構造物を含む解析空間を、それぞれに電磁界が割り当てられた複数のセルに分割した解析モデルを作成するモデル構築手段と、
前記薄膜構造に対応する前記セルの境界上に、前記境界の表面および裏面にそれぞれ異なる電磁界を割当てた薄膜モデルを設定する薄膜モデル設定手段と、
各前記セルの電磁界を、各前記セルおよび各前記セルの周辺の前記セルの1ステップ前の電磁界に基づいて算出する解析手段とを備え、
前記解析手段は、前記境界の各面上の1ステップ前の電磁界値として、前記表面および前記裏面上の1ステップ前の電磁界値に前記薄膜モデルの電磁透過特性に応じた係数をかけた値に基づいて定まる実効電磁界値を用いる、電磁界解析装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G06F17/50 612H
, G06F17/50 666V
5B046AA08
, 5B046BA04
, 5B046JA10
