特許
J-GLOBAL ID：200903008025483088
液晶表示基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098264
公開番号（公開出願番号）：特開平6-308511
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 信号バスラインの高抵抗化を防止し、表示品質の向上を図る。【構成】 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうちの一方の透明基板の該液晶側の面に、信号バスライン、走査バスライン、複数の画素電極、および各画素電極に対応する薄膜半導体素子とを備え、該信号バスラインに印加された電圧が走査バスラインからの信号によってオンする薄膜半導体素子を介して画素電極に印加されるものであって、信号バスラインと画素電極はITO膜から構成される一層目構造をなし、薄膜半導体素子を構成する半導体層およびこの半導体層に積層される絶縁膜は少なくとも前記信号バスラインと画素電極のそれぞれの一部を跨ってそれらの間に形成される二層目構造をなすとともに、走査バスラインは前記半導体素子を構成する前記絶縁膜を被って形成される三層目構造をなす液晶表示基板において、前記信号バスラインのITO膜上にはこのITO膜よりも低抵抗の導電層が積層されて形成されている。
請求項（抜粋）：
液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうちの一方の透明基板の該液晶側の面に、信号バスライン、走査バスライン、複数の画素電極、および各画素電極に対応する薄膜半導体素子とを備え、該信号バスラインに印加された電圧が走査バスラインからの信号によってオンする薄膜半導体素子を介して画素電極に印加されるものであって、信号バスラインと画素電極はITO膜から構成される一層目構造をなし、薄膜半導体素子を構成する半導体層およびこの半導体層に積層される絶縁膜は少なくとも前記信号バスラインと画素電極のそれぞれの一部を跨ってそれらの間に形成される二層目構造をなすとともに、走査バスラインは前記半導体素子を構成する前記絶縁膜を被って形成される三層目構造をなす液晶表示基板において、前記信号バスラインのITO膜上にはこのITO膜よりも低抵抗の導電層が積層されて形成されていることを特徴とする液晶表示基板。
IPC (2件)：
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
