特許
J-GLOBAL ID：200903008026305396
SOI基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-308324
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121383
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 貼り合わせシリコン基板の改善研磨の終点を作業者の目視によって容易に検出する。【構成】 シリコン基板の研磨等による薄膜化の際に、十分に薄膜化された時点で露出する疎水性のポリシリコン膜等による研磨検出膜2を形成する。研磨検出膜2の露出は、表面2aが疎水性のために水がはじかれた状態になることから容易に作業者が目視で認識でき、SOI基板として、均一に仕上げ研磨された単結晶のシリコン薄膜6が貼り合わせにかかるシリコン基板1上にシリコン酸化膜4を介して形成されることになる。
請求項（抜粋）：
一対のシリコン基板を貼り合わせて構成されるSOI基板において、一方のシリコン基板の薄膜化の際に露出する疎水性の研磨検出膜が基板上に形成されてなることを特徴とするSOI基板。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/76
