Si含有薄膜の形成法および該薄膜のパターンの形成法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252236
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115978
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】従来に比べ簡易にSiO2 膜およびそのパターンを形成出来る方法を提供する。【構成】下地11上にアルコキシ基を有するポリ(シロキサン)誘導体と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含む感光性樹脂組成物の膜13を形成する。この膜13の所望部分を露光する。露光済みの試料を加熱処理、および現像する。この試料を酸例えば酢酸と接触させ、その後、熱処理をする。

請求項（抜粋）：

下地上にSi(珪素)含有薄膜を形成する方法において、下地上にアルコキシ基を有するポリ(シロキサン)誘導体と露光により酸を発生する酸発生剤とを含む感光性樹脂組成物の膜を形成する工程と、該膜を露光する工程と、該露光済みの膜に対し酸を接触させる工程とを含むことを特徴とするSi含有薄膜の形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

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