特許
J-GLOBAL ID:200903008033003893

中性粒子入射装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-204730
公開番号(公開出願番号):特開平9-054180
出願日: 1995年08月10日
公開日(公表日): 1997年02月25日
要約:
【要約】【課題】 外部磁場を遮蔽することにより中性化セル内の磁場を、通過する荷電粒子ビームに影響を与えない程度とすることが容易で、また、中性化セル内の雰囲気ガスの圧力を、荷電交換衝突が十分に起こる程度のガス圧に維持することも容易な、単純な構造で、簡易に製造可能な中性化セルを有する中性粒子入射装置を提供する。【解決手段】 磁場によりプラズマを閉じ込める方式を用いた核融合装置でプラズマを加熱するための中性粒子入射装置であって、荷電粒子ビームを中性粒子ビームに変換する中性化セル部Cを有し、この中性化セル部Cを構成する磁気シールド2が高温超伝導材からなり、しかも荷電交換用ガスのガス圧を維持するガスセルを兼ねている。
請求項(抜粋):
荷電粒子ビームを中性粒子ビームに変換する中性化セル部を有し、磁場によるプラズマ閉じ込め方式を用いた核融合装置におけるプラズマ加熱のための中性粒子入射装置であって、外部磁場を遮蔽して荷電粒子ビームの偏向を防止する磁気シールドと荷電粒子ビームを中性化するための荷電交換用ガスの圧力を維持するガスセルとを備えた中性化セル部において、磁気シールドは高温超伝導材からなり、しかも、この高温超伝導材からなる磁気シールドがガスセルを兼ねていることを特徴とする中性粒子入射装置。
IPC (2件):
G21B 1/00 ,  H05H 1/22
FI (2件):
G21B 1/00 U ,  H05H 1/22
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭64-017400
  • 特開昭64-017400

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