特許
J-GLOBAL ID：200903008033851622
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338465
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188307
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 素子形成用単結晶領域内に形成されるn+バッファ層が熱や研磨の影響を受けることなく指定の厚さにすることができること。【構成】 支持基板20上に絶縁膜22を介して単結晶領域24が形成され、単結晶領域24にn-単結晶層30とn+埋込層32が形成されている。支持基板20はp型多結晶層50とp型の単結晶層52で構成されており、多結晶層50のうち貫通口48を介して埋込層32と接続される領域にp型の単結晶層56が形成されている。n+の埋込層32にp型の単結晶層56が接合されているため、埋込層32を研磨することなく支持基板20を接合することができる。【効果】 生産時の歩留まりの向上及び製造コストの低減を図ることができる。
請求項（抜粋）：
支持基板上に絶縁膜を介して複数の素子形成用単結晶領域が形成され、各素子形成用単結晶領域にn型単結晶層とこの単結晶層より不純物の濃度が高いn型の埋込層が互いに接合された状態で配され、n型の埋込層が絶縁膜に接合され、n型単結晶層の表面側に電極用の拡散層が形成され、各素子形成用単結晶領域の絶縁膜にn型の埋込層と支持基板とを結ぶ貫通口が形成されている半導体装置において、前記支持基板は少なくともn型の埋込層と接合する領域がp型結晶層で構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 27/06
, H01L 29/784
H01L 27/06 321 A
, H01L 29/78 321 R
, H01L 29/78 321 C
