特許
J-GLOBAL ID：200903008033928277
中間電位発生回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130980
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327455
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】本発明は、負荷電流が増加しても出力電位の設定電位からの変位を小さくすることを目的とする。【構成】駆動回路20において、ソースフォロワ接続されるMOSトランジスタQ3、Q4のゲートにバイアス電位発生回路10で発生されるバイアス電位Vb1、Vb2が供給され、両トランジスタQ3、Q4に流れる電流に応じた値の電圧でそれぞれゲートが制御されるMOSトランジスタQ5、Q6のソース・ドレイン間を電圧源VCC、VSSそれぞれと出力ノード30との間に挿入したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の電圧源と、中間電位を出力するための出力ノードと、ソース・ドレインが上記第1の電圧源と上記出力ノードとの間に挿入され、ゲートに所定のバイアス電位が供給される第1導電型の第1のMOSトランジスタと、ソース・ドレインが上記第1の電圧源と上記出力ノードとの間に挿入され、上記第1のMOSトランジスタに流れる電流に応じた電圧でゲートが制御される第2導電型の第2のMOSトランジスタとを具備したことを特徴とする中間電位発生回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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