パターン形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048872
公開番号（公開出願番号）：特開2001-235861
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】露光波長250nm以下の遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパターン形成方法を提供する。【解決手段】γ-もしくはδ-ケトカルボン酸構造を有するケトカルボン酸と露光により酸を発生する酸発生剤とを含む感光性組成物を基板に塗布する工程と、この塗膜を選択的に露光することにより露光領域を現像液に対し不溶化する露光工程と、この露光領域を現像液で現像する工程とを含むパターン形成方法であり、感光性組成物中のケトカルボン酸を、露光時に酸発生剤から発生した酸の作用で現像液に不溶なエノールラクトン構造に変える。露光領域のケトカルボン酸は、露光により酸発生剤から発生した酸の作用で、同一分子内のカルボキシル基とケトン分子とがエステル化反応を起こすことによって現像液に不溶なエノールラクトン構造を生成する。例えばArFエキシマレーザ(波長193nm)で露光し、アルカリ液で現像する。

請求項（抜粋）：

基板上に感光性組成物からなる塗膜を形成する工程と、前記塗膜を選択的に露光することにより露光領域を現像液に対し不溶化する露光工程と、前記露光領域を現像液で現像する工程とを含むパターン形成方法であって、前記感光性組成物を、γ-ケトカルボン酸構造及びδ-ケトカルボン酸構造を有する少なくとも1種のケトカルボン酸と露光により酸を発生する酸発生剤とを含む感光性組成物で構成したことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/038 601 , G03F 7/004 501 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/038 601 , G03F 7/004 501 , H01L 21/30 502 R

Fターム (10件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AD01 , 2H025BD02 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025FA17 , 2H025FA40 , 2H025FA41

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