製造ラインおよび半導体デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076337
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267383
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】SEM装置などの荷電粒子ビームプロセス装置において、搬送装置等から発生する電磁波ノイズや振動等に対して影響を殆ど受けることなく超微細化された半導体デバイスなどに対して高分解能でプロセスを実行できるようにした半導体デバイス等の製造ラインを提供することにある。【解決手段】本発明は、電磁波ノイズを検知する検知ユニットを備え、試料室内に導入された試料に対して荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後前記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビームプロセス装置と、該プロセス装置の近傍を走行し若しくは該装置の内部に出入りするように走行し、電動モータを駆動源として前記複数の試料を収納したカセットを搬送する搬送装置と、前記プロセス装置における荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行する区間において前記検知ユニットにより検知された電磁波ノイズが所定のレベル以上のとき、前記搬送装置の駆動源の機能を停止若しくは抑制するように制御する制御装置とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

試料室内に導入された試料に対して荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行し、その後前記試料を前記試料室内から導出される荷電粒子ビームプロセス装置と、該荷電粒子ビームプロセス装置の近傍を走行若しくは該装置の内部に出入りするように走行して電動モータを駆動源として前記複数の試料を収納したカセットを搬送する搬送装置と、前記荷電粒子ビームプロセス装置における荷電粒子ビームを照射して所望のプロセスを実行する区間において前記搬送装置が前記荷電粒子ビームプロセス装置の近傍若しくは内部に位置したとき、前記搬送装置の駆動源の機能を停止若しくは抑制するように制御する制御装置とを備えたことを特徴とする製造ライン。

IPC (5件)：

H01L 21/66 , G21K 5/04 , H01L 21/68 , H05K 9/00 , H01J 37/20

FI (5件)：

H01L 21/66 J , G21K 5/04 M , H01L 21/68 A , H05K 9/00 M , H01J 37/20 B

Fターム (27件)：

4M106CA38 , 4M106DB18 , 4M106DB30 , 4M106DH01 , 4M106DH50 , 4M106DJ03 , 5C001DD03 , 5E321AA05 , 5E321AA44 , 5E321AA45 , 5E321GG05 , 5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA03 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031FA15 , 5F031GA48 , 5F031GA49 , 5F031GA58 , 5F031LA07 , 5F031MA27 , 5F031MA33 , 5F031PA02 , 5F031PA08 , 5F031PA10 , 5F031PA30

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