特許

J-GLOBAL ID：200903008041811036

モレキュラーシーブ組成物(EMM-10)とその製造方法、およびこの組成物を用いた炭化水素の転換方法

発明者： ロス、ウィースロウ・ジェイ ,  ヨーク、トーマス ,  ドーゼット、ダグラス・レウィス ,  カリヤナラマン、モハン ,  カービー、マイケル・シー ,  ウェストン、サイモン・シー
出願人/特許権者： エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク
代理人 (10件)： 山崎 行造 ,  杉山 直人 ,  白銀 博 ,  赤松 利昭 ,  奥谷 雅子 ,  尾首 亘聰 ,  内藤 忠雄 ,  常光 克明 ,  安藤 麻子 ,  東野 博文
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-522762
公開番号（公開出願番号）：特表2009-544568
出願日： 2007年07月02日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：

この発明は結晶性モレキュラーシーブに関し、MWWトポロジーの単位胞からなり、c軸方向の単位胞の配列からの回折のストリークによって同定される、アンモニア交換または焼成された形態の結晶性モレキュラーシーブに関する。この結晶性モレキュラーシーブはさらに、電子線回折パターンの円弧状hk0パターンにより同定される。この結晶性モレキュラーシーブはさらに、c軸方向の単位胞の回折のストリークによって同定される。この結晶性モレキュラーシーブはさらに、c軸方向の二重の単位胞によって同定される。またこの発明は、この結晶性モレキュラーシーブの製造方法に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

MWWトポロジーの単位胞からなり、c軸方向の単位胞の配列からの回折のストリークによって同定される、アンモニア交換または焼成された形態の結晶性モレキュラーシーブ。

IPC (5件)：

C01B 39/48 ,  C10G 35/095 ,  C07C 2/66 ,  C07C 15/085 ,  B01J 29/70

FI (5件)：

C01B39/48 ,  C10G35/095 ,  C07C2/66 ,  C07C15/085 ,  B01J29/70 Z

Fターム (73件)：

4G073BA04 ,  4G073BA57 ,  4G073BA63 ,  4G073BB03 ,  4G073BB12 ,  4G073BB15 ,  4G073BB52 ,  4G073BD01 ,  4G073CZ41 ,  4G073FA12 ,  4G073FB02 ,  4G073FB04 ,  4G073FB11 ,  4G073FB21 ,  4G073FC18 ,  4G073FC25 ,  4G073FC27 ,  4G073FD01 ,  4G073FD05 ,  4G073FD08 ,  4G073FD11 ,  4G073FD23 ,  4G073GA02 ,  4G073GA03 ,  4G073GA08 ,  4G073GA12 ,  4G073GB04 ,  4G073UA01 ,  4G073UB38 ,  4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169BA01B ,  4G169BA07A ,  4G169BA07B ,  4G169CB28 ,  4G169CB62 ,  4G169EC04X ,  4G169EC05X ,  4G169EC05Y ,  4G169FA01 ,  4G169FB04 ,  4G169FB30 ,  4G169ZA32A ,  4G169ZA32B ,  4G169ZB06 ,  4G169ZB09 ,  4G169ZC02 ,  4G169ZC03 ,  4G169ZC04 ,  4G169ZC07 ,  4G169ZD01 ,  4H006AA02 ,  4H006AC21 ,  4H006BA09 ,  4H006BA33 ,  4H006BA71 ,  4H006BA81 ,  4H006BA85 ,  4H006DA10 ,  4H006DA40 ,  4H006DA44 ,  4H006DA50 ,  4H039CA19 ,  4H039CA41 ,  4H039CF10 ,  4H039CL19 ,  4H129AA02 ,  4H129DA13 ,  4H129KA04 ,  4H129KB02 ,  4H129KC17X ,  4H129KC17Y ,  4H129NA37

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特表平6-500544