温度依存性が制御される基準回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-521100
公開番号（公開出願番号）：特表平8-509312
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】FETにおける移動度を時間標準として用いて、完全に集積化し得ると共に任意所望な精度に温度安定した(又は温度で所望な態様に変化する)抵抗(又はトランスコンダクタンス或いは電流)基準値を発生させる。移動度の大きな温度依存性は、値が温度に対して予定通りに変動するゲートバイアス電圧を印加することにより補償(又は所望される変動特性に調整)される。一実施例では、FETのバイアス電圧に温度依存性を与えて、FETのドレイン電流が温度に対してほぼ一定となるようにする。次いで、この電流を用いて、完全に集積化形態で作製し得る正確なR-C積を発生するコンデンサを充電又は放電させる。

請求項（抜粋）：

任意の予定した温度依存性を有する出力基準電流を発生する基準回路が: 第1電界効果トランジスタ(M3)、及び前記第1電界効果トランジスタ(M3)のゲートに総バイアス電圧を印加するバイアス回路を具え、前記バイアス回路が: 前記第1電界効果トランジスタ(M3)のしきい値電圧にほぼ対応する第1バイアス電圧成分を供給する第2電界効果トランジスタ(M1)であって、前記第1バイアス電圧成分を前記第2電界効果トランジスタ(M1)のゲートとソースとの間に発生する第2電界効果トランジスタ(M1)と、前記第1バイアス電圧成分を含む複数のバイアス電圧成分を加算し、前記複数のバイアス電圧成分の和をゲートーソース電圧として前記第1電界効果トランジスタ(M3)に印加する加算回路とを具えていることを特徴とする基準回路。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-315895
特開昭63-169113

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