特許
J-GLOBAL ID:200903008048529824

半導体装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-324126
公開番号(公開出願番号):特開2008-235859
出願日: 2007年12月17日
公開日(公表日): 2008年10月02日
要約:
【課題】複数個の半導体素子を同一面上に配置してマルチ化を図った半導体装置において、半導体素子の外形のサイズや形状ごとにリードフレームを準備することなく、半導体素子の固着位置のばらつきをなくすことができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子13をダイパッド11に固着させる接着剤が濡れ広がる前に、半導体素子13を取り囲むようにダイパッド11上に凸部12を形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数本のリード端子と、 前記複数本のリード端子のうちの一部に接続している半導体素子搭載部と、 前記半導体素子搭載部上に配置された複数個の半導体素子と、 前記各半導体素子を取り囲むように前記各半導体素子の外周辺に近接する位置に形成された凸部と、 前記各半導体素子と前記半導体素子搭載部との間に形成され、前記各半導体素子を前記半導体素子搭載部に固着させる固着材と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/52 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H01L21/52 ,  H01L23/12 F
Fターム (6件):
5F047AA02 ,  5F047AA11 ,  5F047AB06 ,  5F047BA05 ,  5F047BA18 ,  5F047BA19
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特開昭58-31543号公報

前のページに戻る