特許

J-GLOBAL ID：200903008053554128

半導体装置の製造方法

発明者： 山森 義之
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320371
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144119
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエハーと線膨張係数の近い低熱膨張ポリイミドを封止樹脂として、加工が容易で信頼性の高いCSPを、生産性良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 パッシベーション膜および半導体素子の金属電極が形成された、ウエハー状の半導体素子表面に、封止材層として、イミド化後の線膨張係数が30ppm/°C以下である半硬化状態のポリアミック酸フィルムを加熱・圧着した後、熱処理を施してイミド化を完結させる方法により、10〜300μmの膜厚でポリイミド樹脂層を形成する工程、レーザー光により穴加工を施す工程、メッキにより電極用メタルポストおよび金属バンプを形成させる工程、並びに、該金属バンプを形成したウエハーを裏面研磨およびダイシングする工程とからなる。

請求項（抜粋）：

パッシベーション膜および半導体素子の金属電極が形成された、ウエハー状の半導体素子表面に、封止材層として10〜300μmの膜厚で、線膨張係数が30ppm/°C以下であるポリイミド樹脂層を形成する工程、レーザー光により穴加工を施す工程、メッキにより電極用メタルポストおよび金属バンプを形成させる工程、並びに、該金属バンプを形成したウエハーを裏面研磨およびダイシングする工程、とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/78 A ,  H01L 23/30 R

Fターム (9件)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA10 ,  4M109EA08 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13