特許

J-GLOBAL ID：200903008054522092

配線形成方法

発明者： 井上 亮三
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312163
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152298
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【構成】 配線層1に、所定の深さまで達するエネルギーでのイオン注入により、所定の深さまで、アモルファス層3を形成する。次に、熱処理工程により、該アモルファス層3を再結晶化し、二層構造の配線層を形成する。【効果】 配線層を完全に横切るバンブー粒界がなく、かつ、上層及び下層には、それぞれバンブー構造を有するため、EM耐性及びSM耐性を共に向上させることができる。

請求項（抜粋）：

配線の所定の深さまで達するエネルギーで配線へのイオン注入を行い、前記配線を所定の深さまでアモルファス状態にする工程と、該工程後、熱処理により、上記アモルファス状態の配線を再結晶化する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。