特許

J-GLOBAL ID：200903008066596180

電極構造およびその製造方法

発明者： 福所 孝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269680
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097166
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、少なくとも表面の一部分に高融点金属を形成した電極構造において、熱酸化処理や熱拡散処理等の処理を行った場合の、高融点金属膜の剥がれ、拡散または飛散、表面あれ等の防止を図る。【構成】 少なくとも表面の一部分が高融点金属膜14で形成されている電極(ゲート電極1)と、その高融点金属膜14の表面に形成した不動態層15とよりなる構造である。その製造方法としては、例えば改質処理としてイオン注入法によって、高融点金属膜14の表層に不純物を導入することにより、その表層を不動態化して不動態層15を形成する。または、成膜技術として化学的気相成長法またはスパッタ法によって、高融点金属膜14を覆う状態に不動態層15を成膜する。

請求項（抜粋）：

表面の少なくとも一部分に高融点金属膜を形成した電極と、前記高融点金属膜の表面に形成した不動態層とよりなることを特徴とする電極構造。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/62 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 301 G