特許

J-GLOBAL ID：200903008066955164

不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法

発明者： 信方 浩美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-331242
公開番号（公開出願番号）：特開2000-163977
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】多値型のNAND不揮発性メモリで、しきい値電圧が低い書き込みレベルのメモリセルのディスターブ特性を改善し、かつ書き込み効率を上げる。【解決手段】複数ビットのデータのうち上位のグループのデータの書き込みを行った後、最下位の書き込みデータが属する最下位グループのデータの書き込みを行い、かつ、例えばページ内で複数種類のデータを並列に書き込むことが可能な書込制御回路21を有する。書込制御回路21は、複数のラッチ回路(Q21等)と、ビット線(BL0等)の印加電圧としてVB1〜VB3を供給する複数のビット線電圧供給線と、これらに接続されてVB1〜VB3を発生させてグループ間の書き込みで切り換えるビット線電圧発生・切換回路22と、書き込み時にラッチ回路内データに応じてビット線とビット線電圧供給線との接続を制御する電圧供給制御回路(NT27〜NT35で構成)とを有する。

請求項（抜粋）：

ワード線およびビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化し、消去状態からのしきい値電圧の変化量に応じて複数ビットのデータを単一メモリセル内に記憶することが可能な不揮発性半導体記憶装置であって、データ書き込み時に、前記複数ビットのデータのうち消去状態からのしきい値電圧の変化量が最も小さいデータが属する最下位グループより上位のグループのデータの書き込みを行った後、前記最下位グループのデータの書き込みを行い、かつ、各グループの書き込みにおいて、消去状態からのしきい値電圧の変化量が異なる複数種類のデータを並列に書き込むことが可能な書込制御回路を有する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (8件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7件)：

G11C 17/00 641 ,  H01L 27/10 481 ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 633 B ,  G11C 17/00 634 F ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (27件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD09 ,  5B025AE08 ,  5F001AA01 ,  5F001AB02 ,  5F001AD12 ,  5F001AD41 ,  5F001AD53 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AF06 ,  5F001AF20 ,  5F001AG40 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP32 ,  5F083EP76 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11 ,  5F083GA30 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA21