特許
J-GLOBAL ID：200903008078420819
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072568
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263814
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体基体の表面に密着性良く絶縁材料を被着する半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 本発明は半導体基体1の表面に絶縁材料2を被着する方法であり、先ず、半導体基体1の表面に所定粗さを構成する凹凸1aを形成し、次いで、その凹凸1aが形成された半導体基体1の表面に絶縁材料2を被着する。また、半導体基体1として化合物半導体を用いたり、所定厚さから成る下層基体上に半導体基体1を形成する場合においては、凹凸1aによる表面の粗さを、最大粗さにおいて1×10-8m以上で半導体基体1と下層基体との厚さの和未満にする半導体装置の製造方法でもある。
請求項（抜粋）：
半導体基体の表面に絶縁材料を被着する半導体装置の製造方法であって、先ず、前記半導体基体の表面に所定の粗さを構成する凹凸を形成し、次いで、前記凹凸が形成された半導体基体の表面に前記絶縁材料を被着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 29/06
, H01L 33/00
