ポジ型レジスト組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-029257
公開番号（公開出願番号）：特開2001-215709
出願日： 2000年02月07日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光(波長193nm)を使用するミクロフォトファブリケ-ションにおいて、脂環式炭化水素部位が導入された酸分解性樹脂を用いたときでも、十分な感度及び解像力を有し、現像残査及び疎密依存性のないレジストパターンを与えるポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】I、IIで示される特定の繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び分子量2000以下の低分子カルボン酸化合物を含有するポジ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)及び(II)で示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)分子量2000以下の低分子カルボン酸化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】上記一般式(I)、(II)中:R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Wは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、及びエステル基よりなる群から選択される1種あるいは2種以上の組み合わせを表す。Ra,Rb,Rc,Rd,Reは、各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。m,nは、各々独立に、0〜3の整数を表し、m+nは2以上6以下である。

IPC (10件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/02 , C08K 5/09 , C08K 5/372 , C08L 33/14 , C08L 83/04 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/004 504 , H01L 21/027

FI (10件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/02 , C08K 5/09 , C08K 5/372 , C08L 33/14 , C08L 83/04 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/004 504 , H01L 21/30 502 R

Fターム (59件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 4J002BE041 , 4J002BG011 , 4J002BG071 , 4J002BG121 , 4J002CP032 , 4J002EB006 , 4J002EB116 , 4J002EB126 , 4J002EF007 , 4J002EF087 , 4J002EF097 , 4J002EF107 , 4J002EH118 , 4J002EH158 , 4J002EL088 , 4J002EN029 , 4J002EN039 , 4J002EN049 , 4J002EN069 , 4J002EN109 , 4J002EN136 , 4J002EQ016 , 4J002ER029 , 4J002ES006 , 4J002EU029 , 4J002EU049 , 4J002EU119 , 4J002EU129 , 4J002EU139 , 4J002EU149 , 4J002EU186 , 4J002EU216 , 4J002EU239 , 4J002EV129 , 4J002EV216 , 4J002EV237 , 4J002EV246 , 4J002EV287 , 4J002EV296 , 4J002EV306 , 4J002EW176 , 4J002EZ006 , 4J002FD312 , 4J002GP03

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