レジストパターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065578
公開番号（公開出願番号）：特開平6-273944
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【構成】基板に、光酸発生剤と任意に架橋剤を含有するポジ又はネガタイプの化学増感型レジストを塗布し、該レジストをプリベークした後及び/又は露光後ベークする前に、該基板を、酸クエンチング化合物のガス雰囲気下で処理することを特徴とするレジストパターンの形成方法。【効果】この発明のレジストパターンの形成方法によれば、レジストの組成を変えることなくパターン形状を改善することができ、レジストを高解像度化することができる。更に、この発明のレジストパターンの形成方法によれば、安定してレジストパターンを形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板に、光酸発生剤と任意に架橋剤を含有するポジ又はネガタイプの化学増感型レジストを塗布し、該レジストをプリベークした後及び/又は露光後ベークする前に、該基板を、酸クエンチング化合物のガス雰囲気下で処理することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 512 , G03F 7/029 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R , H01L 21/30 361 K

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-287047
特開平4-333224
特開平1-092741

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審査官引用 (8件)

特開平4-287047
特開平4-287047
特開平4-333224

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