特許

J-GLOBAL ID：200903008084851929

電極と誘電層特性が改善した集積回路キャパシタの製造方法及びその製造方法により製造されたキャパシタ

発明者： 金 榮善 ,  元 皙俊 ,  金 榮敏 ,  金 景勲 ,  南 甲鎭 ,  金 榮大 ,  朴 泳旭 ,  李 承桓 ,  李 相協 ,  沈 世鎭 ,  陳 裕讚 ,  文 周泰 ,  崔 珍▲そく▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088599
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303368
出願日： 1998年04月01日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 電極と誘電層特性が改善した集積回路キャパシタの製造方法及びその製造方法により製造されたキャパシタを提供する。【解決手段】 集積回路キャパシタの製造方法において、半導体基板上に導電層パターンを形成する段階と、前記導電層パターン上に第1導電型のドープ剤を含む半球形グレイン(HSG)シリコン表面層を形成する段階と、前記HSGシリコン表面層上に誘電層を形成する段階と、前記HSGシリコン表面層の反対側に前記誘電層上に電極を形成する段階とを備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に導電層パターンを形成する段階と、前記導電層パターン上に第1導電型のドープ剤を含む半球形グレイン(HSG)シリコン表面層を形成する段階と、前記HSGシリコン表面層上に誘電層を形成する段階と、前記HSGシリコン表面層の反対側に前記誘電層上に電極を形成する段階とを備えることを特徴とする集積回路キャパシタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822