特許

J-GLOBAL ID：200903008089976614

半導体集積回路

発明者： 仲矢 実
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276459
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131010
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 耐圧劣化を防止すると共に、電界集中による破壊を防止する。【構成】 ソース領域とドレイン領域を有する半導体能動素子を島状に絶縁体で分離し、電極配線をソース領域から絶縁体を横切って取り出した半導体集積回路において、記電極配線下に設けられていて、ドレイン領域と同等の電位となる電圧が与えられるフィールドプレートと、フィールドプレート下のソース領域とドレイン領域との間に設けられていて、ドレインに高電圧が印加された時に空乏化するチャネルストッパとを設けたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ソース領域とドレイン領域を有する半導体能動素子を島状に絶縁体で分離し、電極配線をソース領域から絶縁体を横切って取り出した半導体集積回路において、前記電極配線下に設けられていて、前記ドレイン領域と同等の電位となる電圧が与えられるフィールドプレートと、このフィールドプレート下の前記ソース領域とドレイン領域との間に設けられていて、前記ドレインに高電圧が印加された時に空乏化するチャネルストッパと、を設けたことを特徴とした半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331

FI (3件)：

H01L 29/78 321 C ,  H01L 21/76 S ,  H01L 29/78 321 R