特許

J-GLOBAL ID：200903008093935205

スパッタリング方法及びそれを用いた光起電力素子の製造方法

発明者： 田村 秀男 ,  酒井 明 ,  金井 正博 ,  藤岡 靖
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-132065
公開番号（公開出願番号）：特開平11-029867
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 マグネトロンスパッタ装置をRoll to Roll装置に適用した場合、帯状基板の場所によってスパッタリング時間が異なることになり、帯状基板の搬送方向の膜厚分布が悪くなるという問題を解決する。【解決手段】 ターゲットの上に複数のトンネル状磁束を形成し、該ターゲットと帯状基板との間に電界を形成し、該帯状基板を搬送しつつ、同時に前記トンネル状磁束を少なくとも前記基板の搬送方向に往復運動させるスパッタリング方法であって、基板の搬送速度v、トンネル状磁束の磁界と前記電界とが直交する点同士の、前記基板の搬送方向の間隔L、トンネル状磁束の往復運動の周期Tについて、L/v=(n+1/2)T (ただしz-1/16<n<z+1/16、zは0以上の整数)となるように制御することを特徴とするスパッタリング方法。

請求項（抜粋）：

ターゲットの上に複数のトンネル状磁束を形成し、該ターゲットと帯状基板との間に電界を形成し、該帯状基板を搬送しつつ、同時に前記トンネル状磁束を少なくとも前記基板の搬送方向に往復運動させるスパッタリング方法であって、基板の搬送速度v、トンネル状磁束の磁界と前記電界とが直交する点同士の前記基板の搬送方向の間隔L、トンネル状磁束の往復運動の周期Tについて、L/v=(n+1/2)T (ただしz-1/16<n<z+1/16、zは0以上の整数)となるように制御することを特徴とするスパッタリング方法。

IPC (5件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 14/35 C ,  C23C 14/56 E ,  H01L 21/203 S ,  H05H 1/46 A ,  H01L 31/04 M