特許

J-GLOBAL ID：200903008097526660

半導体パッケージ

発明者： 岩瀬 暢男 ,  浅井 博紀 ,  木村 和生 ,  山口 秀樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056693
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256413
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 セラミックスパッケージの優れた電気特性を損うことなく、より一層の配線高密度化と放熱性の向上した半導体パッケージを実現する。【解決手段】 半導体素子6を搭載した第1のセラミックス基板2上に、半導体素子6の電極パッドと接続される導体層9を形成した樹脂フィルム10を結合する。この樹脂フィルム10に設けられた導体層9で信号配線を取り回すことによって、信号配線の配線幅および配線間距離を大幅に短縮でき、パッケージ内配線の高密度化およびパッケージ外形の小形化を図る。また、樹脂フィルム10の上面側に第2のセラミックス基板15を接合し、半導体素子6の熱を上下の各セラミックス基板2,15によって半導体パッケージの上下両面側より放散することで、半導体パッケージの放熱性をより高めることができる。

請求項（抜粋）：

内部配線が設けられた第1のセラミックス基板と、前記第1のセラミックス基板上に接合され、前記内部配線と接続された導体が設けられた樹脂基材と、前記樹脂基材の導体と電気的に接続された半導体素子と、前記樹脂基材の前記第1のセラミックス基板との接合面の反対の面に接合された第2のセラミックス基板とを具備することを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 23/08 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 23/08 C ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 Q