特許

J-GLOBAL ID：200903008101627833

半導体集積回路

発明者： 多賀谷 裕
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山内 梅雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-023839
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222696
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 金属配線を伝搬する高周波信号が半導体基板側にリークする量を軽減することのできる半導体集積回路を実現する。【構成】 シリコン基板27の上には絶縁膜層23を介して例えば10GHz程度の高周波の信号が伝搬する信号配線あるいは電源配線等の高周波伝達配線21やグランドに接続されたグランド配線221 、222 が配置されている。これらの上はカバー層で覆われている。高周波伝達配線21の真下のシリコン基板27は、拡散法によって抵抗層24が形成されており、コンタクト251 、252 によってグランド配線221 、222 と接続されている。これにより、高周波伝達配線21からのリーク信号は、抵抗層24からコンタクト251 、252 を経てグランド配線221 、222 に流れる路が形成されたことになり、この分だけシリコン基板27にリークする量を減少させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板の上に形成された絶縁層と、この絶縁層の上に配置された各種の金属配線と、これら金属配線のうち高周波信号の伝搬する配線と隣接しているグランド配線のその隣接する部位と前記半導体基板の間の前記絶縁層に分け入るように配置され、かつグランド配線と電気的に接続された低抵抗あるいは導体からなる高周波遮蔽壁とを具備することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/12 301

FI (5件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 23/12 301 Z ,  H01L 21/88 S ,  H01L 21/90 V ,  H01L 27/04 D