特許
J-GLOBAL ID：200903008108974245
半導体装置の実装構造
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264096
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107050
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置において、パッケージ面から放熱性を向上させて破壊耐量の改善を図ること。【解決手段】 ステム3上の金属層8の表面の液体金属13が接触すべき領域、および半導体チップ1を被覆する樹脂11の表面、ならびに金属キャップ15の内面に、液体金属13と濡れ性を有する金属層である銅層12を設けた後、金属キャップ15およびステム3より形成される空間に、液体金属13および不活性ガス16を充填した。
請求項（抜粋）：
良好な熱及び電気伝導性を有し且つ少なくとも表面の「半導体チップの動作温度にて液体となる第1の金属」と接触すべき領域に「第1の金属と合金を形成しない第2の金属」を有する金属板を有し、前記金属板上の第2の金属の表面の少なくとも前記第1の金属が接触すべき領域に「第1の金属と濡れ性を有する第3の金属」層を有し、前記金属板内に電気的に絶縁され且つ表裏に貫通する電極を有し、前記金属板上の前記電極部分以外の部位に裏面が接着され且つ前記金属板及び前記電極との電気的接続がなされたトランジスタを含む半導体素子が形成された半導体チップを有し、前記半導体チップの表面の少なくとも導電性を有する物質が露出する部位及び電気的接続部分の表面を薄く被覆し且つ絶縁する樹脂材料を有し、前記樹脂材料表面に前記第3の金属層を有し、前記半導体チップ及び樹脂材料を内包するように前記金属板に装着され且つ内部を密封する前記金属板と同様の材料からなる金属キャップを有し、前記金属キャップの内面に前記第3の金属を有し、前記金属板と金属キャップにより形成された空間に前記第1の金属と、前記第1の金属が半導体チップの動作温度の変化により膨張する体積より大であり且つ前記金属内に気泡として存在する事が可能な体積のヘリウム,窒素,アルゴン,キセノンの何れか一つもしくは混合ガスとが充填された空間を有する事を特徴とする半導体装置の実装構造。
IPC (3件)：
H01L 23/22
, H01L 23/20
, H01L 23/42
H01L 23/22
, H01L 23/20
, H01L 23/42
