特許

J-GLOBAL ID：200903008113275428

超電導回路

発明者： 丘 維▲禮▼ ,  細谷 睦 ,  小南 信也 ,  西野 壽一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-239511
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083027
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 ダンピング抵抗の自己インダクタンスを共振の原因である超電導インダクタと磁気結合することによって共振を抑制する超電導回路を提供する。【構成】2つのジョセフソン接合部111、112で接続されている2つの超電導インダクタ101、102からなる超電導回路において、2つのジョセフソン接合部に対して並列になるように超電導インダクタ101に電気的に接続されて超電導インダクタ101の共振を抑制するダンピング抵抗120が超電導インダクタ101に遮られずに超電導インダクタ102と対向し合う面積を広くする。【効果】 ダンピング抵抗120の自己インダクタンス105を超電導インダクタ102に生じる寄生インダクタンスと磁気結合することにより、ダンピング抵抗120と超電導インダクタ102による共振を効果的に抑制できる。

請求項（抜粋）：

第1の超電導体と、該第1の超電導体の少なくとも一部に絶縁層を介して対向するように形成された第2の超電導体と、該2つの超電導体が対向し合う部分において超電導体間に形成された第1及び第2のジョセフソン接合部と、該2つのジョセフソン接合部に対して並列に且つ少なくとも一部が該絶縁層を介して該第2の超電導体と対向するように該第1の超電導体に電気的に接続された抵抗体とからなり、上記第2の超電導体は上記ジョセフソン接合部が形成された部分を含む第1の領域と上記抵抗体と対向する第2の領域とを有し、該第2の領域において上記第1の超電導体と対向する部分はそれ以外の部分より小であることを特徴とする超電導回路。

IPC (2件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22

FI (2件)：

H01L 39/22 ZAA K ,  H01L 39/22 ZAA D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シールド付超伝導回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-047416   出願人：セイコー電子工業株式会社