半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274136
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067785
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】ドレイン耐圧の向上、ソース・ドレインの寄生抵抗抑制、ショートチャネル効果の防止及びインパクトイオンにより発生したホールのトランジスタ特性への影響防止などを図り、高性能で信頼性の良いMOSFETを得る。【構成】チャンネル領域が完全に空乏化するように絶縁膜上に形成されたSOI膜を十分薄くした半導体層に前記絶縁膜から所定の距離だけ離間して設けた一対の高濃度不純物拡散領域(ソース・ドレイン領域)とこの拡散領域に挾まれた凹部チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備えたSOIMOS型半導体装置を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を介して半導体層が形成され、この半導体層にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、このゲート電極の両側にソース・ドレインが形成されたMOS型半導体装置において、前記半導体層のチャネル領域の膜厚Tは前記半導体層のチャネル領域の不純物濃度をNsub(cm-3) 、誘電率をε、フェルミエネルギーをφF (eV)、電子の基本電荷をq(クローン)とする時、T≦[2εφF /(qNsub)]1/2 であり、かつ前記ソース・ドレインと前記基板上の絶縁膜とは前記半導体層の部分により分離されている事を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-066168
特開平2-159767
特開平3-066168

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