特許

J-GLOBAL ID：200903008123709728

エッチング方法とエッチング装置

発明者： 西田 達也 ,  中川 徹郎 ,  田村 雅英
出願人/特許権者： 北陸電気工業株式会社
代理人 (1件)： 廣澤 勲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209927
公開番号（公開出願番号）：特開平11-036086
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月09日
要約：

【要約】【課題】 ウエットエッチングとドライエッチングを並用することで、それぞれのエッチングの長所を利用する。【解決手段】 水晶やリチウムタンタレート等の圧電性を有した基板12上にアルミニウム等を主成分とする金属薄膜14の櫛形電極11のパターンを形成する際に、精度が良好なドライエッチング方法で、アルミニウム等を主成分とする金属薄膜14の6〜9割程度をエッチングしたところでドライエッチングをやめる。次に、基板12への損傷が少ないウエットエッチング方法に切り換え、このウェットエッチングにより金属薄膜14のエッチングを完了させる。

請求項（抜粋）：

弾性表面波フィルタの導体パターンを形成する金属薄膜を圧電性の基板上に設け、先ずドライエッチングにより所望のエッチング量の半分以上を行い、この後、ウエットエッチングにより上記基板表面にまで届くエッチングを行うエッチング方法。

IPC (3件)：

C23F 1/20 ,  C23F 4/00 ,  H03H 3/08

FI (3件)：

C23F 1/20 ,  C23F 4/00 A ,  H03H 3/08