特許

J-GLOBAL ID：200903008125563801

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 小路 元
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062389
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261156
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 高温・高出力動作における埋め込み層への漏れ電流が小さく、且つ、低閾値、高効率動作、高速変調が可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型のクラッド層12と、クラッド層12上に形成された活性層14と、活性層14上に形成された第2導電型のクラッド層16とを有し、少なくとも活性層14及びクラッド層16によりメサストライプが構成されており、メサストライプの両側にInAlAs酸化層よりなる埋め込み層22が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、少なくとも前記活性層及び前記第2のクラッド層によりメサストライプが構成されており、前記メサストライプの両側にInAlAs酸化層よりなる埋め込み層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。